时间：2025/6/6 10:30:57
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SI4952DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-263-3 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能功率转换和开关应用。它广泛用于电源管理、电机驱动、负载切换以及电池保护等场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：115W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg)：38nC（典型值）
SI4952DY-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效功率转换电路。
3. 高电流承载能力，额定 Id 高达 30A，满足高功率应用需求。
4. 耐用性强，工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内部封装优化设计，散热性能优异，有助于提高系统可靠性。
该器件适用于多种工业和消费类电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统的负载切换与保护。
4. 工业自动化设备中的信号放大与功率调节。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备的功率管理部分。
6. 各种电池管理系统(BMS) 中的关键组件。
SI4948DY, IRFZ44N, FDP150N06L
