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SI4952DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/6 10:30:57 查看 阅读:5

SI4952DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-263-3 封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能功率转换和开关应用。它广泛用于电源管理、电机驱动、负载切换以及电池保护等场景。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):115W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  栅极电荷(Qg):38nC(典型值)

特性

SI4952DY-T1-GE3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低传导损耗,提升效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效功率转换电路。
  3. 高电流承载能力,额定 Id 高达 30A,满足高功率应用需求。
  4. 耐用性强,工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 内部封装优化设计,散热性能优异,有助于提高系统可靠性。

应用

该器件适用于多种工业和消费类电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统的负载切换与保护。
  4. 工业自动化设备中的信号放大与功率调节。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备的功率管理部分。
  6. 各种电池管理系统(BMS) 中的关键组件。

替代型号

SI4948DY, IRFZ44N, FDP150N06L

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SI4952DY-T1-GE3产品

SI4952DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 13V
  • 功率 - 最大1.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4952DY-T1-GE3TR