时间：2025/6/4 11:12:16
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IRFBC20PBF是一款由Vishay生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252(DPAK)封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其设计优化了在高频开关条件下的效率表现，并提供了出色的热性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：13A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：14nC
总电容：1260pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-252(DPAK)
IRFBC20PBF的主要特性包括：
1. 高效的功率转换能力，得益于其低导通电阻(18mΩ)，从而减少传导损耗。
2. 快速开关性能，栅极电荷仅为14nC，能够显著降低开关损耗。
3. 较高的最大漏源电压(100V)，使其适用于多种高压应用场景。
4. 连续漏极电流可达13A，确保在大电流负载下稳定运行。
5. 工作结温范围宽广(-55℃至175℃)，适应各种恶劣环境条件。
6. 封装为TO-252(DPAK)，提供良好的散热性能以及紧凑的安装方式。
这些特性共同使得IRFBC20PBF成为高效功率管理的理想选择。
IRFBC20PBF广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括适配器和充电器。
2. 各种类型的DC-DC转换器。
3. 电机驱动控制电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 通信设备中的功率管理模块。
6. 工业自动化和控制系统的功率级元件。
由于其优秀的电气特性和可靠性，该器件在许多需要高效功率转换的应用中表现出色。
IRFBC20N10PBF
