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IRFBC20PBF 发布时间 时间:2025/6/4 11:12:16 查看 阅读:5

IRFBC20PBF是一款由Vishay生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其设计优化了在高频开关条件下的效率表现,并提供了出色的热性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:18mΩ
  栅极电荷:14nC
  总电容:1260pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

IRFBC20PBF的主要特性包括:
  1. 高效的功率转换能力,得益于其低导通电阻(18mΩ),从而减少传导损耗。
  2. 快速开关性能,栅极电荷仅为14nC,能够显著降低开关损耗。
  3. 较高的最大漏源电压(100V),使其适用于多种高压应用场景。
  4. 连续漏极电流可达13A,确保在大电流负载下稳定运行。
  5. 工作结温范围宽广(-55℃至175℃),适应各种恶劣环境条件。
  6. 封装为TO-252(DPAK),提供良好的散热性能以及紧凑的安装方式。
  这些特性共同使得IRFBC20PBF成为高效功率管理的理想选择。

应用

IRFBC20PBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. 各种类型的DC-DC转换器。
  3. 电机驱动控制电路。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 通信设备中的功率管理模块。
  6. 工业自动化和控制系统的功率级元件。
  由于其优秀的电气特性和可靠性,该器件在许多需要高效功率转换的应用中表现出色。

替代型号

IRFBC20N10PBF

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IRFBC20PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 欧姆 @ 1.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFBC20PBF