FHP4N60 时间：2025/6/23 19:28:55 阅读：5

FHP4N60是一种N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流应用场合。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合于各种开关电源、电机驱动器以及逆变器等应用中作为功率开关使用。
　　这种MOSFET的最大额定电压为600V，可以承受较大的电压波动，并且其低导通电阻有助于减少功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.3A
　　脉冲漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：2.8Ω
　　总功耗：15W
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

1. 高电压耐受能力：FHP4N60支持高达600V的漏源电压，使其能够适应高压工作环境。
　　2. 低导通电阻：在典型条件下，该MOSFET的导通电阻仅为2.8Ω，有助于降低传导损耗。
　　3. 快速开关性能：由于优化的内部结构设计，此器件具备快速的开关速度，可有效减少开关损耗。
　　4. 热稳定性强：能够在-55℃到+150℃的宽温度范围内稳定运行。
　　5. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，确保长期使用的稳定性和耐用性。

应用

1. 开关电源：用于AC/DC或DC/DC转换器中的功率开关元件。
　　2. 电机控制：适用于各类电机驱动电路，提供高效的功率传输。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中用作关键功率开关。
　　4. 负载切换：用于工业设备或消费电子产品的负载切换功能。
　　5. PFC电路：在功率因数校正（PFC）电路中实现高效的能量管理。