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SI4931DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/6 10:28:58 查看 阅读:7

SI4931DY-T1-E3 是一款由 Skyworks Solutions 公司生产的射频功率放大器模块,主要应用于无线通信领域。该器件采用了先进的砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)技术,具有高效率、高线性度和宽带宽的特点,适用于 GSM、EDGE 和 WCDMA 等多种通信标准。
  该模块集成了输入/输出匹配网络以及偏置电路,从而简化了系统设计并减少了外部元件的数量。此外,其封装形式紧凑,非常适合对空间要求较高的便携式设备。

参数

型号:SI4931DY-T1-E3
  制造商:Skyworks Solutions
  类型:射频功率放大器
  频率范围:824 MHz 至 960 MHz
  增益:17.5 dB
  输出功率(Pout):33 dBm
  电源电压(Vcc):3.4 V
  静态电流:70 mA
  效率:50%
  封装形式:MLP 4x4 封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4931DY-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 高输出功率:在 33 dBm 输出功率下仍能保持良好的性能。
  2. 高效率:在典型工作条件下可达到约 50% 的效率,有助于延长电池寿命。
  3. 集成度高:内置匹配网络和偏置电路,减少了外围元件的需求,节省 PCB 空间。
  4. 宽带宽支持:覆盖从 824 MHz 到 960 MHz 的频段,适用于全球多个通信标准。
  5. 低噪声系数:提供更清晰的信号传输效果。
  6. 紧凑型封装:MLP 4x4 封装适合现代小型化设备的设计需求。

应用

SI4931DY-T1-E3 广泛用于以下应用领域:
  1. GSM 和 EDGE 移动通信终端。
  2. WCDMA 和 LTE 设备. 便携式无线通信设备,如智能手机、平板电脑和其他手持终端。
  4. 数据卡和 MiFi 路由器等移动宽带产品。
  5. 物联网(IoT)设备中的射频前端模块。
  由于其出色的性能和可靠性,该芯片成为许多通信设备制造商的理想选择。

替代型号

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SI4931DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4931DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 8.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 350µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4931DY-T1-E3TR