时间：2025/4/27 16:28:30
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2SK209-GR是一种N沟道MOSFET功率晶体管，属于双极型晶体管系列，广泛应用于高频放大器、开关电源以及射频电路等场景。该型号以其低导通电阻和高增益特性著称，适用于需要高效能输出的电子设备。2SK209-GR采用TO-3P封装形式，具备较高的耐用性和散热性能，使其在工业级和消费级应用中均有良好的表现。
最大集电极电流：6A
最大集电极-发射极电压：120V
最大栅极-源极电压：±25V
最大功耗：75W
导通电阻：0.18Ω
增益（hFE）：40-120
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SK209-GR具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提升整体效率。
其高增益特性使得该器件非常适合用于信号放大的场景。
由于采用了TO-3P封装，该晶体管具备优良的散热性能，可承受较高功率的应用环境。
此外，2SK209-GR的工作温度范围较广，能够在极端环境下保持稳定运行。
该晶体管主要应用于高频功率放大器的设计中，例如业余无线电设备和广播设备。
在开关电源领域，2SK209-GR可以作为高效的开关元件使用。
此外，它也常见于音频功率放大器、电机驱动电路以及其他需要高性能功率管理的场合。
2SK209-GS, 2SC4241
