时间：2025/5/9 12:30:34
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SI4914DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP-8 封装。该器件设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，广泛适用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
这款 MOSFET 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下保持高效的性能表现，同时具备出色的热特性和电气稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ
栅极电荷：20nC
总电容：115pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TSSOP-8
SI4914DY-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型值为 28mΩ 时可有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用环境。
3. 较小的封装尺寸，便于 PCB 布局设计。
4. 良好的热稳定性和耐受能力，确保在极端温度条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内置反向二极管，支持同步整流和其他复杂电路设计。
SI4914DY-T1-E3 可应用于多种场景，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和管理系统。
5. 便携式设备中的负载开关。
6. 工业自动化和过程控制中的信号切换。
7. 消费类电子产品中的功率管理模块。
SI4915DY, SI4916DY, IRF7833
