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GA1210Y563MBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/21 20:51:55 查看 阅读:4

GA1210Y563MBBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于无线通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高增益和高效率的信号放大功能。其设计旨在满足现代通信系统对高输出功率、低功耗和小型化的需求,适用于基站、中继器和其他射频设备。
  该型号具体针对特定频段进行了优化,并且通过集成多种内部保护电路提升了系统的稳定性和可靠性。

参数

类型:功率放大器
  工作频率范围:1700 MHz 至 2200 MHz
  输出功率:40 dBm
  增益:18 dB
  电源电压:5 V
  静态电流:350 mA
  效率:60%
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210Y563MBBAT31G 具有以下关键特性:
  1. 高输出功率:能够支持高达 40 dBm 的输出功率,适合需要高功率放大的应用场景。
  2. 宽带性能:覆盖 1700 MHz 到 2200 MHz 的频段,兼容多个通信标准。
  3. 高效率:在高功率输出下仍能保持 60% 的效率,有效降低功耗和散热需求。
  4. 内置保护功能:集成了过热保护、过流保护和负载失配保护等机制,增强了器件的耐用性。
  5. 小型化封装:使用 QFN-32 封装,尺寸紧凑,方便在有限空间内布局。
  6. 稳定性强:在宽温度范围内表现优异,适合工业级和户外环境应用。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:为基站设备提供高功率射频信号放大。
  2. 中继器:用于增强信号覆盖范围。
  3. 移动终端:如部分高性能便携式通信设备。
  4. 工业无线设备:例如远程监控系统和自动化控制中的无线链路。
  5. 测试测量仪器:用于产生高精度和大功率的射频信号源。

替代型号

GA1210Y563MBBAT28G, GA1210Y563MBBAT35G

GA1210Y563MBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-