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SI4914BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/7 9:55:03 查看 阅读:24

SI4914BDY-T1-E3 是一款来自 Vishay 的高效率、高频同步降压 DC/DC 转换器 IC。该芯片内置了高性能的功率 MOSFET,可实现高达 2.5A 的连续输出电流。其工作电压范围为 2.7V 至 5.5V,非常适合便携式设备和电池供电系统。
  该器件采用了先进的 PWM 控制架构,并具备超快的瞬态响应能力,能够在负载变化时快速稳定输出电压。同时,它还支持低功耗模式,在轻载条件下自动进入省电模式以提高效率。

参数

输入电压范围:2.7V-5.5V
  输出电流:2.5A
  开关频率:2.2MHz
  效率(典型值):90%
  待机功耗:1uA(典型值)
  封装形式:QFN-16(3mm x 3mm)
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  输出电压范围:0.8V 至 VIN

特性

SI4914BDY-T1-E3 具有以下显著特点:
  1. 高效同步整流设计,减少外部元件数量并优化 PCB 布局。
  2. 内置补偿功能,简化了设计流程。
  3. 支持脉冲跳跃模式(PSM),在轻载时有效降低静态电流。
  4. 提供全面的保护功能,包括过流保护、短路保护、热关断保护等。
  5. 快速启动时间,通常小于 200us。
  6. 可调节软启动功能,避免浪涌电流对系统的冲击。
  7. 小型 QFN 封装适合空间受限的应用场景。

应用

SI4914BDY-T1-E3 广泛应用于多种领域:
  1. 消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑、智能手表等。
  2. 工业控制设备,如数据采集模块、传感器接口电路。
  3. 通信设备中的电源管理单元。
  4. 医疗电子仪器,比如便携式健康监测装置。
  5. 物联网终端节点及无线模块供电解决方案。

替代型号

SI4913BDY, SI4915BDY

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SI4914BDY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列LITTLE FOOT®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.4A,8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大2.7W,3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)