时间：2025/5/10 12:45:51
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IRFU014PBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理应用。其封装形式为PQFN3333-18，适合表面贴装，从而节省空间并提高设计灵活性。
这款MOSFET主要用于要求高效能转换的应用场景，例如DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池供电设备中的功率管理等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
总电容（输入电容）：172pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：PQFN3333-18
IRFU014PBF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大电流应用需求。
3. 快速开关性能，可减少开关损耗。
4. 采用PQFN封装，具备卓越的热传导性和小型化优势。
5. 工作温度范围宽广，适应极端环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
IRFU014PBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 同步整流电路中的主开关元件。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子产品的负载开关。
5. 电池管理系统 (BMS)，如电动汽车或储能系统的充放电控制。
6. 各种需要高效功率转换和大电流处理能力的场合。
IRL3803PBF, FDP157N30AE, SI4472DY
