时间：2025/6/29 2:02:16
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SI4886DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能电力电子应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），并提供了卓越的电气特性和可靠性。
该芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池供电设备等场合，凭借其优异的电气参数和紧凑的封装设计，成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.7A
栅极阈值电压：1.8V 至 3.0V
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
总功耗：1.6W
封装类型：TO-252 (DPAK)标准
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高开关速度，能够满足高频开关应用的需求。
3. 小型 DPAK 封装，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
4. 宽工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
6. 内置 ESD 保护功能，提升器件在实际使用中的抗干扰能力。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理与保护电路
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 消费类电子产品中的电源管理单元
IRF7404, FDP5800, AO3400
