时间：2025/5/28 17:49:05
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GA1206Y182MXJBT31G 是一款高性能的存储芯片，主要应用于需要大容量数据存储和快速访问的场景。该芯片采用先进的工艺制程，具有高可靠性和低功耗的特点。其设计支持多种工作模式，并且具备良好的兼容性，可广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该型号具体属于 NAND Flash 存储器系列，适用于需要频繁写入和擦除数据的应用场景，如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘及嵌入式存储解决方案。
容量：128GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
页大小：16KB
块大小：1MB
最大读取速度：400 MB/s
最大写入速度：280 MB/s
擦写寿命：3000 次
工作温度：-25°C 至 +85°C
封装形式：BGA
GA1206Y182MXJBT31G 具有以下显著特性：
1. 高密度存储能力，能够在有限的空间内提供大容量的数据存储。
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口，确保高速数据传输性能。
3. 内置 ECC（Error Correction Code）纠错机制，有效提升数据的完整性和可靠性。
4. 低功耗设计，适合对能耗要求严格的便携式设备。
5. 宽温工作范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 稳定的擦写寿命，满足长期使用的要求。
该芯片的主要应用场景包括但不限于：
1. 固态硬盘（SSD）制造，为计算机和服务器提供高效的数据存储方案。
2. USB 闪存盘及移动存储设备，满足消费者对于便携存储的需求。
3. 嵌入式系统中的数据记录与缓存功能，例如工业自动化控制器。
4. 通信设备中的日志存储和临时数据缓冲，如路由器和交换机。
5. 车载娱乐系统和导航设备中的多媒体文件存储。
GA1206Y182MXJBT32G, GA1206Y182MXJBT33G
