时间：2025/4/28 17:37:26
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SI4884BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，旨在提供出色的导通电阻 (Rds(on)) 性能和高开关速度，适用于各种高效能功率转换应用。其封装形式为 ThermOpak? (TO-263) 封装，具有良好的热性能。
该 MOSFET 的耐压等级为 60V，适合中低压应用场景，并且能够处理较高的持续电流，从而在负载切换、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：57A
导通电阻：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：29nC（典型值）
总电容：1640pF（输入电容 Ciss）
功耗：234W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：ThermOpak? (TO-263-3)
反向恢复时间：不适用（无内置二极管）
SI4884BDY-T1-GE3 使用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，大幅降低了导通电阻 Rds(on)，从而减少了导电损耗，提高了系统效率。
该器件还具有快速开关能力，可以有效降低开关损耗，尤其在高频应用中表现突出。
其低栅极电荷和输出电荷特性进一步优化了动态性能，使它非常适合用于同步整流、降压/升压转换器以及电池保护电路。
此外，该产品支持高达 175℃ 的工作结温，能够在恶劣的环境条件下可靠运行。
该 MOSFET 广泛应用于工业、汽车和消费电子领域，具体包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流；
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动；
3. 工业自动化设备中的负载切换；
4. DC-DC 转换器和逆变器设计；
5. 高效能 LED 驱动器；
6. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助电源管理；
7. 电池管理系统（BMS）。
SI4880DY, SI4882BP, IRF7767
