时间：2025/5/28 21:43:27
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SI4840BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适合在高频开关应用中使用。
其封装形式为 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8 (TSSOP)，能够有效提升散热性能，同时保持较小的占板面积。该产品广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：97nC
开关速度：快速
封装类型：Thermally Enhanced PowerPAK SO-8
SI4840BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力，能够在异常条件下提供更好的保护。
3. 超低的输入和输出电容，有助于实现更快的开关速度。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素。
5. 优化的热性能设计，可支持更高的功率密度。
6. 紧凑的封装尺寸，节省 PCB 空间。
这些特性使得 SI4840BDY-T1-GE3 成为 DC/DC 转换器、电机驱动器、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的应用的理想选择。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 工业和消费类电机驱动器。
3. 电池管理与保护系统。
4. 通信基础设施中的负载开关。
5. 便携式电子设备的电源管理模块。
由于其卓越的电气性能和可靠性，SI4840BDY-T1-GE3 在多种功率转换和控制场景下表现出色。
SI4850DPBF, IRFZ44N
