时间：2025/5/22 13:43:50
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SI4823DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 ThinPAK 8x8（D2PAK 封装），能够提供出色的散热性能，同时其低栅极电荷和快速开关速度使其非常适合高频应用。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：79nC
开关时间：ton=10ns, toff=20ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度和低栅极电荷设计，优化了高频下的性能。
4. 强大的热性能和耐用性，确保在极端条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，并具备无铅封装，满足环保要求。
6. 封装小巧，易于集成到紧凑型设计中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. ORing 二极管替代方案
4. 电机驱动和控制
5. 负载开关和保护电路
6. 工业电源模块
7. 通信设备中的功率管理
IRF7729TRPBF
STP40NF06L
FDP047N06L
