类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode HEMT)
　　材料：氮化镓 (GaN)
　　额定电压：650 V
　　额定电流：100 A
　　导通电阻：40 mΩ（典型值）
　　栅极电荷：120 nC（最大值）
　　开关频率：高达 5 MHz
　　封装：TO-247-4L

GMC04CG3R9C100NT 具备卓越的性能，主要体现在以下几个方面：
　　1. 高效功率转换：得益于其低导通电阻和快速开关速度，该器件能够在高频下实现高效的功率传输。
　　2. 热性能优异：采用大尺寸金属焊盘封装设计，可有效降低热阻并提升散热能力。
　　3. 快速开关特性：低栅极电荷与输出电荷使其能够以高频运行，减少磁性元件的体积和成本。
　　4. 高可靠性：通过了严格的测试流程，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
　　5. 易于驱动：优化后的栅极阈值电压简化了驱动电路设计，同时提高了抗噪能力。
　　这种晶体管特别适用于需要高性能和紧凑设计的应用场景。

GMC04CG3R9C100NT 广泛应用于以下领域：
　　1. 数据中心电源供应器：支持高效率 AC-DC 和 DC-DC 转换。
　　2. 通信基础设施：用于基站电源和其他电信设备中的功率管理。
　　3. 新能源汽车：包括车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电机控制器。
　　4. 工业自动化：如不间断电源（UPS）、伺服驱动器等对效率和动态响应有严格要求的工业应用。
　　5. 消费类电子产品：如快速充电器、适配器等小型化、高效化的终端产品。

GMC04CG3R9C80NT, GMC04CG3R9C120NT