型号：K9G8G08UOA-IIBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：8GB（64Gb）
　　工艺制程：2xnm class
　　电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-25°C 至 +85°C
　　存储单元结构：MLC (Multi-Level Cell)
　　接口类型：Standard NAND Interface (8-bit I/O)
　　封装形式：BGA
　　页面大小：4KB + 128字节OOB
　　块大小：512KB
　　每块编程时间：典型值约600μs
　　擦除时间：典型值约1.5ms
　　ECC要求：需外部控制器支持，推荐使用8-bit ECC/512字节
　　耐久性：10,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年（在额定条件下）

K9G8G08UOA-IIBO具备多项先进特性，使其在嵌入式存储市场中具有显著优势。首先，该芯片采用MLC NAND技术，在保证较高存储密度的同时有效控制了单位存储成本，适合对价格敏感但又需要较大容量的应用场景。其8GB的存储容量能够满足大多数中高端消费电子产品的固件和数据存储需求。芯片内部组织结构优化，页面大小为4KB，配合128字节的OOB（Out-of-Band）区域，可用于存放ECC校验码、坏块标记和文件系统元数据，提升了数据管理效率。
　　其次，K9G8G08UOA-IIBO支持标准的NAND接口协议，兼容广泛的主控芯片平台，如应用处理器或专用NAND控制器，便于系统集成。它具备低功耗运行特性，支持待机模式和深度睡眠模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。在可靠性方面，该器件设计有先进的磨损均衡（Wear Leveling）和坏块管理机制，结合外部控制器的FTL（Flash Translation Layer），可大幅延长使用寿命。
　　此外，该芯片在制造过程中采用了高良率工艺和严格的质量控制流程，确保产品的一致性和长期供货稳定性。其工作温度范围覆盖工业级应用需求（-25°C至+85°C），可在较恶劣环境下稳定运行。为了保障数据安全，建议系统层面实施ECC纠错算法（至少8位/512字节），防止因位翻转导致的数据损坏。整体而言，K9G8G08UOA-IIBO是一款性能均衡、可靠性高且易于集成的嵌入式NAND闪存解决方案。

K9G8G08UOA-IIBO广泛应用于多种需要非易失性大容量存储的电子系统中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑，用于存储操作系统镜像、应用程序代码以及部分用户数据。在固态存储设备如eMMC模块尚未普及的时期，此类独立NAND芯片常被直接焊接在主板上构建存储子系统。它也常见于工业控制设备，如人机界面（HMI）、PLC控制器和数据采集终端，承担程序存储和日志记录功能。
　　在消费类电子产品领域，该芯片可用于智能电视、机顶盒、网络摄像头和家用路由器等设备，支持固件升级和配置保存。车载信息系统中，K9G8G08UOA-IIBO可用于存储导航地图数据、多媒体内容和车辆设置信息，其宽温特性和抗振动设计适应汽车运行环境。此外，在医疗设备、POS终端和物联网网关中也有应用实例，体现其多领域的适用性。
　　由于其标准化接口和成熟的技术生态，许多嵌入式Linux系统将其作为根文件系统（rootfs）的物理载体，配合YAFFS或UBIFS等专为NAND优化的文件系统使用。开发人员可通过JTAG或UART接口进行调试和烧录操作，实现快速原型开发和批量生产编程。随着eMMC和UFS逐步取代分立式NAND，该型号仍保留在部分成本敏感或特定设计需求的产品中继续服役。

K9GAG08H5A-KDBO
　　MT29F64G08CBABA:B
　　SAN29GL512D11TFI-10