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T620142004DN 发布时间 时间:2025/8/7 5:04:32 查看 阅读:22

T620142004DN 是由 Vishay 公司生产的一款钽电容器型号。钽电容器以其高电容值、稳定性和可靠性著称,广泛用于需要高稳定性和高性能的电子电路中。T620142004DN 特别适用于需要高能量密度和低漏电流的场景,例如电源滤波、信号处理和嵌入式系统设计。

参数

电容值:4.7 μF
  容差:±20%
  额定电压:50 V
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:表面贴装(SMD)
  尺寸:7.3 mm x 4.3 mm x 4.1 mm
  材料:钽
  漏电流:最大 0.01CV(μA)
  ESR(等效串联电阻):最大 3.5 Ω

特性

T620142004DN 钽电容器具有多个显著特性。首先,它提供了高电容密度,能够在相对较小的封装中提供较大的电容量,这对于空间受限的设计尤为重要。其次,该电容器的漏电流非常低,使其适用于需要高稳定性和低功耗的应用,例如电池供电设备和精密模拟电路。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +125°C)确保了在极端环境下的可靠性,适用于工业和汽车领域的严苛条件。T620142004DN 的表面贴装封装设计便于自动化生产,同时减少了电路板上的空间占用。其稳定的电气性能和较低的等效串联电阻(ESR)也有助于减少电路中的能量损耗和发热问题。
  T620142004DN 还具有优异的长期稳定性,能够在长时间使用中保持其电气特性。这种稳定性对于需要长时间运行而无需维护的系统尤为重要。此外,该电容器的钽材料和构造设计使其具有良好的抗震性和抗冲击性,适合在恶劣的物理环境中使用。

应用

T620142004DN 主要应用于需要高稳定性和高性能的电子设备。典型的应用场景包括电源管理模块中的滤波电容、DC-DC 转换器中的储能电容,以及精密模拟电路中的去耦电容。此外,它还广泛用于汽车电子系统(如发动机控制单元和车载信息娱乐系统)、工业控制系统(如PLC和传感器模块)以及通信设备(如基站和路由器)。由于其低漏电流特性,该电容器也常用于电池供电设备(如便携式医疗设备和无线传感器节点)中以延长电池寿命。

替代型号

T6201470K050ASCTX,T6201476K050ASCTX,T620142004DN

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T620142004DN参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭SCR
  • 系列-
  • 结构单一
  • SCR 数目,二极管1 SCR
  • 电压 - 断路1400V
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)150mA
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)200A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)315A
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)3650A,4000A
  • 电流 - 维持(Ih)-
  • 安装类型底座安装,8"引线
  • 封装/外壳TO-200AB,A-PUK
  • 包装散装