T620142004DN 是由 Vishay 公司生产的一款钽电容器型号。钽电容器以其高电容值、稳定性和可靠性著称,广泛用于需要高稳定性和高性能的电子电路中。T620142004DN 特别适用于需要高能量密度和低漏电流的场景,例如电源滤波、信号处理和嵌入式系统设计。
电容值:4.7 μF
容差:±20%
额定电压:50 V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:表面贴装(SMD)
尺寸:7.3 mm x 4.3 mm x 4.1 mm
材料:钽
漏电流:最大 0.01CV(μA)
ESR(等效串联电阻):最大 3.5 Ω
T620142004DN 钽电容器具有多个显著特性。首先,它提供了高电容密度,能够在相对较小的封装中提供较大的电容量,这对于空间受限的设计尤为重要。其次,该电容器的漏电流非常低,使其适用于需要高稳定性和低功耗的应用,例如电池供电设备和精密模拟电路。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +125°C)确保了在极端环境下的可靠性,适用于工业和汽车领域的严苛条件。T620142004DN 的表面贴装封装设计便于自动化生产,同时减少了电路板上的空间占用。其稳定的电气性能和较低的等效串联电阻(ESR)也有助于减少电路中的能量损耗和发热问题。
T620142004DN 还具有优异的长期稳定性,能够在长时间使用中保持其电气特性。这种稳定性对于需要长时间运行而无需维护的系统尤为重要。此外,该电容器的钽材料和构造设计使其具有良好的抗震性和抗冲击性,适合在恶劣的物理环境中使用。
T620142004DN 主要应用于需要高稳定性和高性能的电子设备。典型的应用场景包括电源管理模块中的滤波电容、DC-DC 转换器中的储能电容,以及精密模拟电路中的去耦电容。此外,它还广泛用于汽车电子系统(如发动机控制单元和车载信息娱乐系统)、工业控制系统(如PLC和传感器模块)以及通信设备(如基站和路由器)。由于其低漏电流特性,该电容器也常用于电池供电设备(如便携式医疗设备和无线传感器节点)中以延长电池寿命。
T6201470K050ASCTX,T6201476K050ASCTX,T620142004DN