KRC829E-RTK 时间：2025/12/28 15:46:57 阅读：14

KRC829E-RTK 是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：120A
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.9mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：63nC @ 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

KRC829E-RTK 的主要特性之一是其极低的导通电阻，能够在高电流条件下减少功率损耗，提高系统效率。这种低Rds(on)特性使其适用于大电流负载开关和同步整流等应用。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达120A，非常适合用于高性能电源模块和功率转换系统。同时，其高耐压能力（30V漏源电压）确保了在多种电压环境下都能稳定运行。
　　该器件采用了TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在高密度PCB设计中使用，并支持自动焊接工艺。此外，该封装形式具备良好的散热能力，有助于在高功率应用中维持较低的温度上升。
　　KRC829E-RTK 还具备较强的抗雪崩能力和高可靠性设计，能够在瞬态负载或短路情况下保持稳定，从而提升系统的整体耐用性和安全性。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适合高频开关应用。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，兼容多种MOSFET驱动IC，便于系统设计和优化。

应用

KRC829E-RTK 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理单元（PMU）以及工业自动化控制系统等。其高效率和高可靠性的特点，也使其适用于电动车充电模块、太阳能逆变器、服务器电源和笔记本电源适配器等对效率和稳定性要求较高的场合。