HKG3AE332MG2BW(1KV332M) 是一种高压硅堆,主要用于高电压整流应用。该元件采用先进的封装技术和高质量的材料制造,具有较高的耐压值和可靠性,适用于各种需要高电压转换的场景。
其典型应用场景包括静电复印机、激光打印机的充电单元以及高压电源等设备中。此外,由于其优良的电气性能和稳定性,它也常用于工业和医疗领域中的高电压设备。
型号:HKG3AE332MG2BW(1KV332M)
额定电压:1000V
峰值反向电压:1200V
正向电流:3mA
封装形式:玻璃外壳
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
引脚间距:5mm
1. 高额定电压设计,可承受高达1000V的工作电压,适合高电压环境下的应用。
2. 峰值反向电压达到1200V,提高了在极端条件下的安全性与可靠性。
3. 低漏电流设计,确保高效能表现和更长使用寿命。
4. 玻璃封装技术,具备优异的机械强度和抗腐蚀性能。
5. 工作温度范围宽广,适应不同气候条件下的使用需求。
6. 引脚间距标准化,便于安装和替换。
该高压硅堆广泛应用于多种高电压相关设备中,主要包括:
1. 静电复印机和激光打印机中的充电单元。
2. 医疗成像设备(如X射线机)中的高压电源。
3. 工业领域中的静电喷涂装置和离子风刀。
4. 实验室和科研机构中的高电压实验电源。
5. 各种类型的高压测试仪器和电子加速器设备。
HKG3AE332MG2BQ, HKG3AE332MG2BWY