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GA1210A391FBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:06:18 查看 阅读:15

GA1210A391FBBAR31G 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。
  这款功率MOSFET为N沟道增强型器件,适合用于高频开关应用,同时具备较强的电流承载能力和耐压能力,确保在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  栅源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):80nC
  输入电容(Ciss):2500pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210A391FBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用场合,从而减小外部元件尺寸。
  3. 强大的电流承载能力,可满足大功率应用需求。
  4. 优秀的热稳定性设计,能够在高温环境下长期可靠运行。
  5. 增强的静电防护能力,有助于提升产品的抗干扰性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  这些特点使得该芯片非常适合于要求高效能和高可靠性的应用场景。

应用

GA1210A391FBBAR31G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器、PC电源等。
  2. 电机驱动电路,用于控制各类直流无刷电机或步进电机。
  3. 逆变器及不间断电源(UPS)系统中的功率转换模块。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
  5. 工业自动化设备中的功率调节和保护电路。
  6. LED驱动器和其他需要高效功率管理的场景。
  凭借其出色的性能,这款芯片成为众多电力电子工程师的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, AO3400A

GA1210A391FBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-