时间：2025/6/20 14:24:10
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SI4808DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。该芯片封装为 TSOP257-1，能够承受高达 30V 的漏源电压，并提供出色的电流处理能力。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：8.6A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：39nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI4808DY-T1-E3 使用先进的 TrenchFET 技术制造，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，确保了在大电流应用中的高效性能。
2. 高电流承载能力，适合要求苛刻的功率转换电路。
3. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
4. 快速开关速度，减少开关损耗，提高整体系统效率。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，便于紧凑型设计。
6. 提供高可靠性，满足汽车级和工业级应用需求。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中作为高端或低端开关使用。
3. 各类负载开关场景，例如 USB 接口保护和控制。
4. 电机驱动电路中的功率输出级。
5. 电池管理系统中的充放电路径控制。
6. 工业设备中的功率分配和保护电路。
7. 汽车电子系统的各种功率管理模块。
SI4809DY, SI4810DY, IRF7832
