时间：2025/6/12 17:34:13
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BL13N50F是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高频切换和高效功率控制的电子设备中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：13A
最大栅极漏电流：100nA
导通电阻：1.2Ω（典型值）
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+150℃
BL13N50F具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，能够显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，有助于减小滤波器尺寸和提升系统效率。
4. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 小封装设计，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
BL13N50F适用于多种功率转换和控制场景，具体包括：SMPS）中的功率开关。
2. 工业电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器及不间断电源（UPS）系统。
4. 能量回收装置和光伏逆变器。
5. 各类负载切换和保护电路。
由于其出色的性能和可靠性，BL13N50F成为许多高要求应用的理想选择。
IRF840, STP13NF06, FQA13N50C
