NDS9407-NL是一款基于硅技术设计的高压、高功率N沟道MOSFET晶体管,专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用TO-220封装形式,具有出色的电气性能和热性能,适用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。
其设计注重降低导通损耗和开关损耗,同时提供良好的雪崩能力和可靠性,能够满足各种严苛的工作环境需求。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:1.3Ω
栅极电荷:15nC
输入电容:1020pF
工作温度范围:-55℃ to +150℃
NDS9407-NL具备以下主要特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达650V,适合高压应用。
2. 低导通电阻,仅为1.3Ω,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
3. 较小的栅极电荷(15nC),可以降低开关损耗。
4. 具有良好的雪崩击穿能力,提高了器件在异常条件下的可靠性和稳定性。
5. 工作温度范围宽广,可适应从低温到高温的各种环境条件。
6. 采用标准TO-220封装,便于安装和散热管理。
NDS9407-NL广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各种类型的电机驱动控制电路。
3. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
4. 逆变器和转换器中的功率开关元件。
5. LED照明驱动中的功率调节模块。
6. 电池管理系统中的充放电控制开关。
NDS9407LLT1G, IRF840, STP45NF06