SI4501DY-T1 时间：2025/4/28 20:23:30 阅读：2

SI4501DY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度，适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。该型号采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封装，有助于在紧凑设计中实现高效率和低功耗性能。
　　该器件工作电压范围宽广，可承受高达 60V 的漏源电压 (Vds)，同时其栅极驱动电压低至 4.5V 即可完全开启，非常适合便携式设备和其他低电压系统的应用。

参数

最大漏源电压 (Vds)：60V
　　连续漏电流 (Id)：8.5A
　　导通电阻 (Rds(on))：75mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.3V 至 3V
　　总功耗：2.4W
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

SI4501DY-T1 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高速开关能力使其非常适合高频 DC-DC 转换器应用。
　　3. 栅极驱动电压低至 4.5V，能够兼容多种逻辑电平输入信号。
　　4. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
　　5. 小型化封装有助于节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
　　6. 工作温度范围宽，适应各种恶劣环境下的应用需求。

应用

SI4501DY-T1 广泛应用于以下领域：
　　1. 便携式电子设备中的负载开关。
　　2. 电池供电系统的保护电路。
　　3. 各类 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　4. 电机驱动和 PWM 控制电路。
　　5. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流开关。
　　6. 电信和网络设备中的电源管理模块。