时间：2025/5/8 16:52:44
阅读：6
SIR472DP-T1-GE3 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用 TOLL 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换场景，如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等。
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：47 A
导通电阻：35 mΩ
栅极电荷：95 nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55 ℃ 至 175 ℃
SIR472DP-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电压（650V），确保在高压环境下具备良好的可靠性。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。
4. 紧凑的 TOLL 封装，有助于简化 PCB 设计并节省空间。
5. 出色的热稳定性，在极端温度条件下仍能保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
SIR472DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和服务器电源中的 DC-DC 转换。
2. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率转换。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 高效照明系统的电子镇流器。
5. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统及牵引逆变器。
SIR472DP, IRGB4062DPBF, FGH47N65SMD
