BUZ35 时间：2025/9/7 13:29:58 阅读：24

BUZ35是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由西门子（Siemens）推出，广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用TO-220封装，适用于中高功率电子设备中的高效能开关操作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.065Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BUZ35的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适合用于高功率需求的应用。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
　　BUZ35具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少了开关损耗，提高了响应速度。栅极驱动要求较低，使得该器件可以与常见的驱动电路兼容，降低了整体设计复杂度。
　　该MOSFET具备较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境中保持性能稳定。此外，其设计确保了在过载或短路情况下具有一定的耐受能力，提升了系统的可靠性。

应用

BUZ35常用于电源管理、开关稳压器、DC-DC转换器和马达控制电路中。在电源供应器中，它可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在工业控制设备中，BUZ35用于驱动继电器、电磁阀和小型马达等负载。
　　此外，BUZ35也适用于电池充电器、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，用于实现高效率的功率转换与管理。在汽车电子系统中，如车载电源系统或电动工具中，BUZ35同样被广泛采用。