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SI4501BDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/17 9:41:53 查看 阅读:7

SI4501BDY-T1-GE3是来自Skyworks公司的射频开关芯片,主要应用于蜂窝、WLAN和蓝牙等通信设备。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低插入损耗、高隔离度和优异的线性性能,非常适合于移动电话、无线模块和其他便携式电子设备中射频信号路径的切换控制。
  该芯片支持多种工作模式,并且能够承受较高的功率处理能力,同时具备非常低的导通电阻(Ron),从而提高了系统效率并降低了功耗。

参数

封装:QFN20
  频率范围:DC至6GHz
  供电电压:1.8V至3.3V
  插入损耗:0.4dB(典型值)
  隔离度:27dB(最小值)
  导通电阻:1.5Ω(最大值)
  关断电容:0.2pF(最大值)
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

1. 集成度高,减少了外围元件数量和电路板空间占用。
  2. 提供了卓越的射频性能,包括低插入损耗和高隔离度。
  3. 具备出色的线性度和抗干扰能力,适合多频段和复杂环境的应用。
  4. 支持低功耗操作,有助于延长电池供电设备的工作时间。
  5. 可靠性高,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

应用

1. 智能手机中的射频前端模块设计。
  2. 平板电脑和笔记本电脑中的WiFi与蓝牙天线切换。
  3. 物联网(IoT)设备中的射频信号路径控制。
  4. 可穿戴设备及其他小型化电子产品的射频开关解决方案。
  5. 无线通信基础设施中的射频信号管理。

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SI4501BDY-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V, - 8 V
  • 闸/源击穿电压20 V, 8 V
  • 漏极连续电流12 A, - 8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0135 Ohms, 0.021 Ohms
  • 配置Dual
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 封装Reel
  • 下降时间8 ns, 9 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)29 S, 24 S
  • 栅极电荷 Qg16.5 nC, 27.5 nC
  • 功率耗散4.5 Watts
  • 上升时间11 ns, 12 ns
  • 典型关闭延迟时间15 ns, 35 ns
  • 零件号别名SI4501BDY-GE3