时间：2025/5/23 4:35:24
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FQP6N80C 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件广泛应用于需要高效功率切换的场合，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。其设计特点包括低导通电阻、高雪崩能力和快速开关速度，非常适合高频应用。
型号：FQP6N80C
类型：N 沭道通 MOSFET
封装：TO-220
VDS（漏源极电压）：80V
RDS(on)（导通电阻）：75mΩ
ID（连续漏极电流）：16A
f（工作频率）：高达 500kHz
栅极电荷：38nC
功耗：120W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FQP6N80C 的主要特点是其低导通电阻 (RDS(on)) 和高效率，这有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。
它具有较高的漏源极电压 (80V)，适用于中等电压的应用场景。
其快速开关性能使其在高频应用中表现优异，能够有效降低开关损耗。
此外，该器件具备良好的热稳定性和高雪崩能力，能够在恶劣条件下提供可靠的保护。
FQP6N80C 的 TO-220 封装形式便于散热管理，并且易于安装在各种电路板上。
FQP6N80C 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 逆变器
5. 电池充电器
6. 工业控制设备
由于其出色的性能，这款 MOSFET 在需要高效功率转换和低热量生成的场合尤为适用。
FQP16N80C
IRF840
STP16NF80
FDP16N80E
