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FQP6N80C 发布时间 时间:2025/5/23 4:35:24 查看 阅读:22

FQP6N80C 是一款 N 沣道通 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。该器件广泛应用于需要高效功率切换的场合,例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。其设计特点包括低导通电阻、高雪崩能力和快速开关速度,非常适合高频应用。

参数

型号:FQP6N80C
  类型:N 沭道通 MOSFET
  封装:TO-220
  VDS(漏源极电压):80V
  RDS(on)(导通电阻):75mΩ
  ID(连续漏极电流):16A
  f(工作频率):高达 500kHz
  栅极电荷:38nC
  功耗:120W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

FQP6N80C 的主要特点是其低导通电阻 (RDS(on)) 和高效率,这有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。
  它具有较高的漏源极电压 (80V),适用于中等电压的应用场景。
  其快速开关性能使其在高频应用中表现优异,能够有效降低开关损耗。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和高雪崩能力,能够在恶劣条件下提供可靠的保护。
  FQP6N80C 的 TO-220 封装形式便于散热管理,并且易于安装在各种电路板上。

应用

FQP6N80C 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动
  4. 逆变器
  5. 电池充电器
  6. 工业控制设备
  由于其出色的性能,这款 MOSFET 在需要高效功率转换和低热量生成的场合尤为适用。

替代型号

FQP16N80C
  IRF840
  STP16NF80
  FDP16N80E

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FQP6N80C参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 欧姆 @ 2.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1310pF @ 25V
  • 功率 - 最大158W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件