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GA0402Y681KXXAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:48:41 查看 阅读:8

GA0402Y681KXXAP31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,适用于高效率、高频开关应用。该器件采用了先进的封装技术,具备低导通电阻和高开关速度的特性,非常适合用于电源适配器、快充设备以及DC-DC转换器等场景。
  其设计结合了氮化镓材料的优异性能,大幅提升了功率密度和能效,同时缩小了整体系统尺寸。

参数

型号:GA0402Y681KXXAP31G
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  额定电压:650V
  额定电流:4A
  导通电阻:160mΩ(典型值,@Vgs=6V)
  栅极电荷:30nC(最大值)
  开关频率:最高支持 MHz级
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:P31G

特性

GA0402Y681KXXAP31G 的主要特点是利用氮化镓半导体材料的卓越性能。相较于传统的硅基MOSFET,它拥有更低的导通电阻和更少的寄生电容,从而能够实现更快的开关速度和更高的效率。此外,该器件还具有以下优点:
  - 极低的输出电容和反向恢复电荷,减少了开关损耗。
  - 内置优化的栅极驱动保护电路,提高了系统的可靠性和稳定性。
  - 小巧的封装尺寸,便于集成到紧凑型设计中。
  - 出色的热性能,确保在高负载条件下依然保持良好的散热能力。

应用

该型号广泛应用于对效率和尺寸要求较高的电力电子领域,具体包括:
  - USB PD 快速充电器
  - 小型化 AC-DC 适配器
  - 高频 DC-DC 转换器
  - LED 驱动电源
  - 消费类电子产品的高效电源模块
  - 太阳能微型逆变器
  这些应用场景得益于其高效的开关特性和紧凑的设计优势。

替代型号

GAN041-650WSA
  Transphorm TP65H030WS
  Infineon IMS60R050M1H

GA0402Y681KXXAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-