时间：2025/6/5 10:48:41
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GA0402Y681KXXAP31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，适用于高效率、高频开关应用。该器件采用了先进的封装技术，具备低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于电源适配器、快充设备以及DC-DC转换器等场景。
其设计结合了氮化镓材料的优异性能，大幅提升了功率密度和能效，同时缩小了整体系统尺寸。
型号：GA0402Y681KXXAP31G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压：650V
额定电流：4A
导通电阻：160mΩ（典型值，@Vgs=6V）
栅极电荷：30nC（最大值）
开关频率：最高支持 MHz级
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：P31G
GA0402Y681KXXAP31G 的主要特点是利用氮化镓半导体材料的卓越性能。相较于传统的硅基MOSFET，它拥有更低的导通电阻和更少的寄生电容，从而能够实现更快的开关速度和更高的效率。此外，该器件还具有以下优点：
- 极低的输出电容和反向恢复电荷，减少了开关损耗。
- 内置优化的栅极驱动保护电路，提高了系统的可靠性和稳定性。
- 小巧的封装尺寸，便于集成到紧凑型设计中。
- 出色的热性能，确保在高负载条件下依然保持良好的散热能力。
该型号广泛应用于对效率和尺寸要求较高的电力电子领域，具体包括：
- USB PD 快速充电器
- 小型化 AC-DC 适配器
- 高频 DC-DC 转换器
- LED 驱动电源
- 消费类电子产品的高效电源模块
- 太阳能微型逆变器
这些应用场景得益于其高效的开关特性和紧凑的设计优势。
GAN041-650WSA
Transphorm TP65H030WS
Infineon IMS60R050M1H
