ME2808A50M3G 时间：2025/6/17 0:19:44 阅读：4

ME2808A50M3G是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
　　该MOSFET属于N沟道增强型，适用于高频开关场景，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统等。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热并适合表面贴装技术（SMT）。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：43A
　　导通电阻：3.6mΩ
　　栅极电荷：98nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

ME2808A50M3G的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提升整体系统效率。
　　2. 高额定电流能力，能够承受高达43A的连续漏极电流，确保在大电流应用中的稳定运行。
　　3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。
　　4. 出色的热稳定性，在高温环境下依然保持优异的性能。
　　5. 封装设计紧凑且易于安装，支持表面贴装技术（SMT），适合自动化生产。
　　6. 广泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应各种严苛环境。

应用

ME2808A50M3G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电机驱动
　　4. 电池管理系统（BMS）
　　5. 工业自动化设备
　　6. 汽车电子
　　7. 光伏逆变器
　　这款MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性，成为许多功率转换和控制应用的理想选择。