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SI4410DYPBF 发布时间 时间:2025/5/12 8:36:48 查看 阅读:9

SI4410DYPBF是Silicon Labs公司推出的一款高性能、低功耗的无线收发器芯片,工作在315/433/868/915MHz ISM频段。该芯片采用直接变频架构设计,具有高灵敏度和高抗干扰能力,适用于各种低功耗无线应用场合。
  SI4410集成了一个高效的功率放大器、低噪声接收前端、频率合成器以及数字调制解调器等模块。其支持多种调制方式,如FSK、GFSK、MSK、OQPSK等,并且可以通过SPI接口进行灵活配置。

参数

工作频率:315/433/868/915MHz
  输出功率:+20dBm(最大)
  接收灵敏度:-121dBm(典型值)
  供电电压:1.8V至3.6V
  工作电流:3.5mA(接收模式)
  待机电流:0.2μA
  数据速率:0.1kbps至250kbps
  温度范围:-40°C至+85°C

特性

SI4410DYPBF具备出色的射频性能和灵活性。它支持超宽的工作频率范围,可以满足不同地区对ISM频段的要求。
  芯片内部集成了丰富的功能模块,包括自动增益控制(AGC)、直流阻塞滤波器、RSSI检测电路等,从而简化了外围设计并提高了系统的可靠性。
  此外,该芯片还支持包处理功能,例如前导检测、同步字识别、CRC校验等,这使得开发者能够快速实现可靠的无线通信协议。
  为了降低系统功耗,SI4410提供了多种省电模式,并允许用户根据具体应用场景优化功耗性能。

应用

SI4410DYPBF广泛应用于各种低功耗无线通信领域,例如家庭自动化、工业控制、无线传感器网络、智能仪表、遥控遥测系统等。
  其卓越的射频性能和低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择。同时,由于支持多种调制方式和数据速率,该芯片可以适应不同的通信需求,从简单的点对点链路到复杂的多节点网络都可以胜任。

替代型号

SI4412DYPBF
  SI4432DYPBF

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SI4410DYPBF参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1585pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件