型号：AM29C863ASCTR
　　制造商：AMD
　　类型：NOR Flash
　　容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：70 ns
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除 / 整片擦除
　　编程方法：字编程 / 缓冲编程
　　总线宽度：可配置为x8/x16模式
　　JEDEC标准兼容：支持CFI（Common Flash Interface）
　　待机电流：典型值10 μA
　　编程/擦除电流：典型值20 mA
　　数据保持时间：> 20 年
　　擦写次数：≥ 100,000 次

AM29C863ASCTR的核心特性之一是采用了AMD专有的MirrorBit技术，这项创新技术通过在每个存储单元中利用两个物理位置分别存储两个独立的数据位，实现了存储密度的翻倍。这种双位存储机制不仅提高了芯片的集成度，而且降低了制造成本，同时保持了传统NOR Flash的快速随机访问能力和高可靠性。MirrorBit结构还优化了电场分布，提升了编程和擦除效率，减少了对高电压的需求，从而增强了器件的整体能效表现。
　　该芯片支持灵活的块擦除架构，将整个16Mbit存储空间划分为多个可独立擦除的扇区，其中包括多个较小的参数扇区（适合存储配置数据）和较大的主数据扇区，便于实现精细化管理与保护。用户可以选择仅擦除需要更新的部分，避免影响其他关键代码或数据区域。此外，内置的硬件写保护（通过WP#引脚）可在上电或系统异常时防止意外写入或擦除操作，确保固件安全。
　　AM29C863ASCTR具备强大的命令集支持，遵循JEDEC标准化的CUI（Common User Interface）规范，允许使用通用的编程算法进行初始化、读取、编程、擦除和查询操作。其内部状态机能够自动完成复杂的编程和擦除流程，无需外部控制器持续干预，极大简化了软件设计复杂度。通过DQ6翻转位和DQ7数据线的状态变化，主机可以实时检测操作是否完成，也可以使用专用的READY#输出引脚作为中断信号源。
　　为了适应不同的系统需求，该器件支持x8（字节模式）和x16（字模式）两种总线宽度配置，兼容多种微处理器和DSP接口。其快速70ns的读取速度满足了实时系统对低延迟的要求，特别适合用于执行存储在Flash中的代码（XIP, Execute-In-Place）。同时，多种节能模式（如自动进入休眠、软件掉电等）使其非常适合便携式和电池供电设备使用。

AM29C863ASCTR广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储固件、引导程序和配置参数，因其快速启动能力和高耐用性而受到青睐。工业控制系统中，该芯片被用来保存PLC程序、HMI界面数据以及设备校准信息，在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
　　在网络设备中，AM29C863ASCTR支持快速Boot Code执行和现场固件升级（FOTA），配合其扇区保护功能可有效防止升级失败导致的系统崩溃。消费类电子产品如智能电视、机顶盒和多媒体播放器也采用此类Flash存储操作系统映像和应用软件。
　　此外，在医疗仪器、测试测量设备和汽车电子模块中，该芯片用于存储诊断程序、日志数据和安全认证信息。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保在极端温度条件下依然具备良好性能。航空航天和军事电子系统有时也会选用此类经过验证的成熟器件，用于非关键任务的数据记录和配置存储。由于其并行接口提供了较高的数据吞吐率，因此在需要高速访问小容量代码存储的场景下具有明显优势，尤其是在没有外部DRAM缓存的低成本系统中表现突出。

S29GL016D90TFIR5
　　S29GL016D90TF1R5
　　AM29LV800DB-90EC
　　MT28EW01GABA1LPC-0SIT