MB120L-7 是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的功率MOSFET技术,具备低导通电阻、高效率和高可靠性的特点,适用于工业电源、电机控制、UPS(不间断电源)系统以及电焊设备等高功率电子系统中。MB120L-7 的设计旨在提供卓越的热管理和电气性能,使其在高电流和高频工作条件下依然能够保持稳定运行。
类型:功率MOSFET模块
最大漏极电流(ID):120A
最大漏源电压(VDS):100V
导通电阻(RDS(on)):典型值为5.5mΩ
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:双列直插式封装(DIP)
安装方式:通孔安装
功率耗散:200W
栅极电荷(Qg):约120nC
输入电容(Ciss):约3600pF
短路耐受能力:有
MB120L-7 拥有多项优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流工作状态下,导通损耗降至最低,从而提高整体系统的效率。该模块的最大漏极电流为120A,支持高功率输出应用,同时具备100V的漏源电压耐受能力,适用于多种中高压功率转换场景。
其次,该器件具有良好的热管理能力。其封装设计优化了散热路径,确保在高负载条件下仍能维持较低的结温,从而提升器件的可靠性和寿命。此外,MB120L-7 内部采用并联MOSFET结构,提高了电流分配的均匀性,降低了局部过热的风险。
再者,该模块具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的过载电流而不损坏,提高了系统在异常情况下的安全性。栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率下的效率表现。此外,其高输入电容特性使其在高频率开关应用中具有良好的稳定性。
MB120L-7 采用双列直插式封装(DIP),便于安装和维护,适用于需要高可靠性和高功率密度的工业环境。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境条件。
MB120L-7 广泛应用于需要高功率开关能力的工业和电力电子系统中。例如,在工业电源系统中,它可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器以及高频逆变器等电路,以实现高效的能量转换。在电机控制领域,该器件适用于大功率直流电机驱动器和伺服控制系统,能够提供稳定的电流输出和快速的开关响应。
此外,该模块也常用于UPS(不间断电源)系统中,作为主功率开关器件,负责在市电中断时快速切换至电池供电,确保负载的持续运行。在电焊设备中,MB120L-7 可用于控制焊接电流,提供高效的能量输出和稳定的焊接性能。
由于其高可靠性和优异的热管理能力,该器件还可用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备等新能源领域,作为关键的功率开关元件。总之,MB120L-7 是一款适用于多种高功率应用场景的高性能MOSFET模块。
IXFH120N10P3、IXFN120N10T、IRFP4468PBF