时间：2025/5/28 15:23:04
阅读：24
SI4288DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有超低导通电阻和极高的效率，适用于需要高效功率转换的应用场景。该器件通常用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备中的电源管理电路。
这款 MOSFET 的封装形式为微型的 TSOP6 封装，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：7.7A
导通电阻(Rds(on))：5mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg)：9nC
总电容(Ciss)：1150pF
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
SI4288DY-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速切换性能，得益于其低栅极电荷 (Qg)，从而减少开关损耗。
3. 支持高结温运行，最高可达 175°C，适合严苛的工作环境。
4. 逻辑电平驱动兼容性，使其可以直接与 3.3V 或 5V 控制信号配合使用。
5. 微型 TSOP6 封装设计，节省 PCB 空间，同时提供良好的热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
SI4288DY-T1-GE3 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率级开关。
2. 笔记本电脑及平板电脑的电源管理模块。
3. 工业控制和通信系统的负载开关。
4. 电池供电设备中的高效电源管理。
5. 电机驱动电路，包括小型直流电机和步进电机控制。
6. 通用功率放大器和音频功放中的开关元件。
SI4470DY, SI4471DY, SI4472DY
