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SI4288DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/28 15:23:04 查看 阅读:12

SI4288DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用 TrenchFET? 第三代技术制造,具有超低导通电阻和极高的效率,适用于需要高效功率转换的应用场景。该器件通常用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备中的电源管理电路。
  这款 MOSFET 的封装形式为微型的 TSOP6 封装,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):7.7A
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ @ Vgs=4.5V
  栅极电荷(Qg):9nC
  总电容(Ciss):1150pF
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C

特性

SI4288DY-T1-GE3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速切换性能,得益于其低栅极电荷 (Qg),从而减少开关损耗。
  3. 支持高结温运行,最高可达 175°C,适合严苛的工作环境。
  4. 逻辑电平驱动兼容性,使其可以直接与 3.3V 或 5V 控制信号配合使用。
  5. 微型 TSOP6 封装设计,节省 PCB 空间,同时提供良好的热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺制造。

应用

SI4288DY-T1-GE3 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率级开关。
  2. 笔记本电脑及平板电脑的电源管理模块。
  3. 工业控制和通信系统的负载开关。
  4. 电池供电设备中的高效电源管理。
  5. 电机驱动电路,包括小型直流电机和步进电机控制。
  6. 通用功率放大器和音频功放中的开关元件。

替代型号

SI4470DY, SI4471DY, SI4472DY

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SI4288DY-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压40 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流9.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.02 Ohms at 10 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3.1 W
  • 零件号别名SI4288DY-GE3