时间：2025/6/11 22:13:40
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KR355WD72J474MH01K 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等高效率电力转换场景。该芯片采用先进的制程技术制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，从而能够显著降低功耗并提升系统效率。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计旨在满足工业级和消费级应用对高能效和稳定性的需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：47A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：120nC
开关时间：ton=45ns, toff=85ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适用于现代高效的电源设计。
3. 高击穿电压，确保在高压环境下具备出色的可靠性和稳定性。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片在实际应用中的抗静电能力。
5. 小型封装选项，便于 PCB 布局设计，同时节省空间。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. LED 驱动电路
6. 充电器及适配器
7. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRFP460, STW45N65, FDP5600
