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GA35XCP12-247 发布时间 时间：2023/3/3 15:01:32 查看 阅读：555

    制造商：GeneSiCSemiconductor

    RoHS：是

    

    

目录

概述

    制造商：GeneSiCSemiconductor

    RoHS：是

    产品：IGBTSiliconCarbideModules

    封装：Bulk


资料

厂商
GeneSiC Semiconductor

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GA35XCP12-247参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品IGBT Silicon Carbide Modules
  • 配置Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 集电极—射极饱和电压3 V
  • 在25 C的连续集电极电流35 A
  • 栅极—射极漏泄电流500 nA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体TO-247AB
  • 封装Bulk
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Through Hole

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