时间：2025/6/21 10:52:00
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SI4162DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合于需要高效能和高频率操作的应用场景。其小尺寸封装（DFN1006-2，1 mm x 0.6 mm）使其成为空间受限设计的理想选择。
这种 MOSFET 的工作电压范围为 -0.3V 至 20V，并能够在广泛的温度范围内稳定运行（-55°C 到 +175°C）。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，SI4162DY-T1-GE3 在消费电子、通信设备和工业应用中得到了广泛应用。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：8nC（典型值）
开关时间：ton=3ns，toff=7ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DFN1006-2
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用场景下可显著降低功率损耗。
2. 出色的开关速度，适合高频电路设计。
3. 小尺寸封装（1mm x 0.6mm），有助于节省 PCB 空间。
4. 高温稳定性，能够在恶劣环境下保持性能一致性。
5. 支持高达 20V 的漏源电压，适用于多种低压电源管理方案。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. USB 充电器及便携式设备的电源管理。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
4. LED 驱动器和小型电机驱动。
5. 数据通信接口保护。
6. 各类消费类电子产品的电池管理单元。
SI4146DY, SI4157DY, SiA416DJ
