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IXTH12N70X2 发布时间 时间:2025/8/6 0:30:01 查看 阅读:13

IXTH12N70X2 是由 Littelfuse(原IXYS公司)生产的一款高电压、高功率 N 沟道增强型 MOSFET,适用于各种高功率开关应用,例如电源转换器、逆变器和马达控制。这款 MOSFET 具备出色的导通性能和开关特性,工作电压高达700V,额定电流为12A,适合在高效率和高功率密度的系统中使用。该器件采用了先进的高密度沟槽技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))以及优异的热稳定性,适用于工业级环境。

参数

型号:IXTH12N70X2
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):700V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  额定漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.48Ω(最大)
  功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH12N70X2 的设计优化了导通和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现优异。首先,其导通电阻较低,能够在高电流条件下提供较低的功率损耗,同时具备良好的热性能,支持长时间高负载运行。其次,这款 MOSFET 采用了高耐用性的封装技术,具有较强的热稳定性和机械强度,适合在苛刻的工作环境下使用。
  此外,IXTH12N70X2 具备快速的开关特性,其开关时间较短,能够减少开关过程中的能量损耗,从而提高整体效率。这对于需要高频率操作的应用,如DC-DC转换器和逆变器来说尤为重要。该器件的栅极电荷量较低,进一步优化了其在高频率工作条件下的性能。
  安全性方面,IXTH12N70X2 提供了过温保护功能,能够在高温条件下自动限制电流以防止损坏。这一特性使其更适合在没有额外热管理措施的系统中使用。同时,该器件的封装设计也便于安装散热片,从而增强其热管理能力。
  最后,IXTH12N70X2 的设计符合 RoHS 环保标准,无铅且不含卤素,适合用于现代绿色电子设备的设计与制造。

应用

IXTH12N70X2 适用于多种高功率电子系统,特别是在需要高电压和高效能表现的应用中。常见应用包括电源转换器(如AC-DC和DC-DC转换器)、逆变器(如太阳能逆变器和UPS系统)、马达控制电路(如工业自动化设备和电动工具)等。此外,该器件也可用于电池管理系统、负载开关以及各种工业控制设备中。由于其优异的热稳定性和高可靠性,IXTH12N70X2 也常用于需要长时间运行的高负载系统中。

替代型号

STW12N70K5, FQA12N70, IRFP460LC

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IXTH12N70X2参数

  • 现有数量30现货1,470Factory
  • 价格1 : ¥55.57000管件
  • 系列Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)300 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)960 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)180W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3