QSC113-0040D 是一款由 Qorvo 公司制造的射频功率晶体管,采用 GaN(氮化镓)技术制造,适用于高频、高功率应用。该器件设计用于在 L 波段和 S 波段工作的雷达、通信和测试设备,具有高效率、高增益和高线性度的特点。
制造商:Qorvo
晶体管类型:GaN HEMT
频率范围:2.7 GHz - 3.5 GHz
输出功率:40 W
漏极效率:≥65%
增益:≥14 dB
工作电压:28 V
封装类型:陶瓷金属封装
输入驻波比(VSWR):≤2.5:1
输出驻波比(VSWR):≤3.0:1
QSC113-0040D 采用先进的 GaN 技术,具有出色的功率密度和热性能,能够在较高的频率下提供稳定的输出功率。该器件的高效率特性有助于减少功耗并降低系统散热需求,适用于脉冲和连续波(CW)操作。此外,其宽频率范围和良好的线性度使其适用于多种现代通信系统。
该晶体管还具备良好的耐用性和可靠性,能够承受一定程度的负载失配,从而提高系统的稳定性和使用寿命。其设计允许在较高的工作温度下仍保持良好的性能,适用于恶劣环境下的应用。
在匹配电路方面,QSC113-0040D 集成了输入和输出匹配电路,简化了外围电路设计,减少了设计复杂度,并加快产品上市时间。此外,其低漏电流和高抗静电能力也增强了器件在高要求应用中的稳定性。
QSC113-0040D 主要用于以下应用场景:军用和民用雷达系统、无线基础设施(如 5G 基站)、航空通信设备、工业测试设备(如信号发生器和频谱分析仪)、射频功率放大器模块等。其高频率和高功率特性也使其成为卫星通信和微波链路的理想选择。
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"QSC113-0040",
"QPD1013",
"QSC114-0040D"
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