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SI4124DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/10 12:13:18 查看 阅读:12

SI4124DY-T1-E3 是一款由 Silicon Labs(芯科实验室)推出的高性能射频功率放大器芯片,主要用于 ISM 频段的无线通信系统。该芯片采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有高效率、高增益和宽频率范围的特点。其设计旨在为 Zigbee、Wi-SUN、Thread 等低功耗无线协议提供强大的信号放大能力。

参数

工作电压:1.8V至3.6V
  频率范围:868MHz至950MHz
  输出功率:+20dBm
  电源电流:130mA
  增益:17dB
  回波损耗:-10dB
  封装形式:MLP 4x4

特性

SI4124DY-T1-E3 提供了出色的线性度和效率,在高频应用中表现尤为突出。
  该芯片集成了内部匹配网络,简化了外部电路设计,并减少了外围元件的数量。
  支持脉冲调制模式以降低平均功耗,非常适合电池供电的设备。
  具备过温保护功能,确保在极端条件下的可靠运行。
  其小尺寸封装有助于节省 PCB 空间,适用于便携式和紧凑型产品设计。

应用

这款射频功率放大器广泛应用于各种无线通信场景,包括智能家居设备、工业自动化传感器、医疗健康监测装置以及远程抄表系统等。
  它特别适合需要长距离传输的应用场合,例如室外网关、农业物联网节点或城市级 LoRaWAN 基础设施。
  同时,由于其低功耗特性,也常用于手持式终端如对讲机或环境监测设备。

替代型号

SI4432BRM-GM-E2
  CC1101
  RFM69HCW

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SI4124DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs77nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3540pF @ 20V
  • 功率 - 最大5.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)