时间：2023/4/11 9:49:31
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MBRD1045T4G技术参数
反向重复峰值电压VRRM(max)(V)：45
平均整流器前向电流IO(max)(A)：10
瞬间前向电压VF(max)@IF(V)：0.57@10A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A)：70
瞬间反转电流IR(max)(mA)：15
封装/温度(℃)：DPARK/-65~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
