时间：2025/7/11 20:16:53
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SI3981DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而能够实现高效的功率转换和开关性能。
该 MOSFET 的封装形式为 Hot FET? 6x5 DPAK (TO-263)，具备出色的散热性能，非常适合空间受限的应用场景。其高效率和紧凑的封装设计使其成为消费电子、通信设备及工业应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极-源极电压范围：-8V 至 +8V
总功耗：71W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK (TO-263)
SI3981DV-T1-GE3 基于 Vishay 的第三代 TrenchFET 技术，提供超低的导通电阻，显著降低传导损耗并提高系统效率。
其坚固的设计可承受雪崩能量，确保在恶劣条件下的可靠运行。
该器件具有快速开关能力，支持高频操作，适用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用。
此外，Hot FET? 封装提供了卓越的热性能，使得该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
SI3981DV-T1-GE3 广泛应用于各种功率管理场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
2. 笔记本电脑和服务器的负载开关
3. 电动工具及家用电器中的电机控制
4. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）
5. 高效 DC/DC 转换器设计
6. 各类便携式设备的电源管理
SI3982DS, SI3881DS
