NCE3095K是一款由Nexperia公司生产的高性能、低功耗的MOSFET晶体管。该器件主要应用于开关和放大场景,适用于广泛的工业和消费类电子产品中。NCE3095K采用SOT23-3封装形式,具有体积小、可靠性高的特点,非常适合于空间受限的设计环境。
这款MOSFET为P沟道增强型器件,支持快速开关操作,并且具备较低的导通电阻特性。这使得它在电池供电设备、负载开关、电源管理电路以及其他需要高效能表现的应用中表现出色。
最大漏源电压:-40V
连续漏极电流:-1.6A
栅源电压:±20V
导通电阻:1.8Ω(典型值,在Vgs=-4.5V时)
功耗:400mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
NCE3095K的关键特性包括:
1. 高效节能设计,确保更低的功耗。
2. 极低的导通电阻,减少功率损耗并提升系统效率。
3. 支持快速开关能力,适合高频应用。
4. 小巧的SOT23-3封装,节省PCB空间。
5. 宽泛的工作温度范围,适应恶劣环境下的运行需求。
6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅工艺制造。
NCE3095K适用于多种领域中的实际应用,例如:
1. 手机和其他便携式电子产品的电源开关。
2. 计算机主板上的负载切换。
3. 汽车电子系统的负载控制。
4. 各种工业设备中的电源管理模块。
5. LED驱动器中的电流调节功能。
6. 充电器保护电路中的过流保护。
NCE3095G, NCE3095T