时间：2025/5/30 14:22:52
阅读：25
SI3905DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 TO-263 (DPAK) 封装，适用于多种工业和消费类应用中的高效功率切换场景。
其设计特点在于低导通电阻和高效率，非常适合在开关电源、电机驱动以及负载开关等电路中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：1300pF
功耗：18W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3905DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备更强的可靠性。
3. 超小型 DPAK 封装，适合空间受限的设计环境。
4. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 电池管理系统 (BMS)。
3. 电机驱动与控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 照明驱动电路。
SI3905DS, SI3905DP
