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SI3905DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/30 14:22:52 查看 阅读:8

SI3905DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 TO-263 (DPAK) 封装,适用于多种工业和消费类应用中的高效功率切换场景。
  其设计特点在于低导通电阻和高效率,非常适合在开关电源、电机驱动以及负载开关等电路中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  总电容:1300pF
  功耗:18W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI3905DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下具备更强的可靠性。
  3. 超小型 DPAK 封装,适合空间受限的设计环境。
  4. 快速开关性能,有助于降低开关损耗。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作条件。
  6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS)。
  2. 电池管理系统 (BMS)。
  3. 电机驱动与控制。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED 照明驱动电路。

替代型号

SI3905DS, SI3905DP

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SI3905DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)