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82S141/B3A 发布时间 时间:2025/6/27 15:56:03 查看 阅读:6

82S141/B3A 是一款由 Intel(英特尔)公司推出的 TTL(晶体管-晶体管逻辑)类型存储器芯片,属于高速静态随机存取存储器(SRAM)。这款芯片通常用于需要快速数据访问的电子系统中,例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备等。其主要特点是功耗低、速度快、稳定性强,并能够在较宽的工作温度范围内运行。

型号

82S141/B3A

参数

容量:1K x 4 位
  工作电压:+5V DC
  封装形式:24引脚塑料双列直插封装(PDIP)
  工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)或 -40°C 至 +85°C(工业级)
  最大访问时间:12ns(纳秒)
  输入/输出电平:TTL 兼容
  读写操作支持:异步读写操作
  封装代码:B3A(表示24引脚 PDIP 封装)

特性

82S141/B3A 的核心特性包括高速度和低功耗的设计,这使得它非常适合在对性能要求较高的应用场合使用。由于采用了先进的硅栅极 CMOS 技术,该芯片在保持高性能的同时,还能有效降低功耗。
  此外,它的 TTL 兼容性使其能够与多种数字电路无缝连接,无需额外的电平转换器即可直接接入设计系统。
  该器件具备出色的抗干扰能力,可在高噪声环境下稳定工作。同时,其异步读写功能为设计提供了更高的灵活性,允许用户根据需求动态调整内存访问模式。
  82S141/B3A 还内置了地址锁存机制,确保在高频工作条件下数据的完整性,从而提升系统的整体可靠性。

应用

82S141/B3A 被广泛应用于各种电子设备中,特别是在嵌入式系统、测量仪器、数据采集系统以及小型计算机系统中。由于其高速访问时间和较低的功耗,这款 SRAM 非常适合用作缓存存储器或临时数据存储单元。
  在工业自动化领域,它可以作为控制器的本地存储器,用于快速存储和检索关键数据;在通信设备中,82S141/B3A 可用于缓冲数据流,以提高传输效率和响应速度。
  此外,该芯片还常见于教学实验设备和开发板中,用于帮助工程师和学生进行硬件学习和原型设计。

替代型号

IDT7130SA25PFG, CY62148EVSZ48ZSXE, AS7C31026C-10TCN

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