晶体管类型：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　集电极-基极电压（VCBO）：150V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　封装类型：SOT-23

MMBT5401-AU 具有良好的稳定性和可靠性，适用于多种电子电路设计。
　　其 PNP 架构使其在负电压供电电路中表现出色，常用于信号放大和开关控制。
　　高增益带宽（fT）达到 100MHz，使其在高频应用中具有出色的性能。
　　该晶体管的 hFE（电流增益）范围较广，从 110 到 800，这使得它在不同工作条件下都能提供良好的放大效果。
　　MMBT5401-AU 的最大集电极-发射极电压（VCEO）为 150V，支持其在高压应用中使用。
　　其 SOT-23 小型封装设计非常适合空间受限的 PCB 布局，同时具备良好的散热性能。
　　该器件的功耗为 300mW，在大多数低功耗设计中表现出色。
　　工作温度范围宽广（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车级应用环境。

MMBT5401-AU 主要用于通用放大电路和开关电路设计。
　　它在音频放大器、射频放大器和信号处理电路中被广泛使用。
　　由于其高频响应特性，常用于无线通信设备中的射频信号放大。
　　该晶体管也可用于驱动继电器、LED 和小型电机等负载。
　　在电源管理电路中，MMBT5401-AU 可作为开关元件控制电源流向。
　　此外，它还常用于模拟电路中的电平转换和缓冲器设计。
　　在数字电路中，MMBT5401-AU 可作为逻辑门电路的组成部分，实现基本的开关功能。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，也适用于汽车电子和工业自动化设备中的控制电路。

MMBT5401LT1G, BC850P, 2N3906, BC846B