时间：2025/6/21 10:56:08
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SI3499DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。这款器件专为高频开关应用设计，能够提供较低的导通电阻和优秀的开关性能。其小型化的封装使其非常适合于空间受限的应用场景。
型号：SI3499DV-T1-GE3
品牌：Vishay
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：30 V
RDS(on)（导通电阻）：2.8 mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：119 A
Qg（栅极电荷）：20 nC
EAS（雪崩能量）：540 mJ
封装形式：TO-263-3, D2PAK
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3499DV-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适合高功率密度的设计需求。
3. 出色的热性能，可承受高达 +175°C 的结温，适用于高温环境。
4. 低栅极电荷和输出电容，保证了快速的开关速度，从而减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 提供强大的雪崩能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
该 MOSFET 广泛应用于多种工业及消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 开关电源（SMPS）中的功率 MOSFET。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动车充电器和其他高频、高效能功率转换应用。
SI3498DP-T1-E3, IRFB4110PbF, FDP5570NZ
