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SI3493DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/20 14:17:05 查看 阅读:4

SI3493DV-T1-E3 是一款由 Silanna Semiconductor 推出的高效率、高频同步整流降压直流-直流转换器。该芯片集成了高性能的 PWM 控制器和功率 MOSFET,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压。其设计目标是为便携式设备、工业电源和通信系统提供高效且紧凑的电源解决方案。
  SI3493DV-T1-E3 具有快速瞬态响应、低待机功耗和高集成度的特点,能够显著简化电源设计并减少外围元件数量。

参数

输入电压范围:4.5V 至 60V
  输出电压范围:0.8V 至 VIN
  开关频率:200kHz 至 2MHz
  最大输出电流:4A
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-8
  待机电流:小于2μA
  效率:高达97%

特性

SI3493DV-T1-E3 提供了多种先进的功能和特性,包括但不限于:过温保护(OTP),以确保在极端条件下芯片的安全运行;逐周期电流限制(Cycle-by-Cycle Current Limit),有效防止短路或过载情况下的损坏;可调软启动功能,避免上电时的电流冲击;以及支持脉冲跳跃模式(PFM),从而在轻载情况下提高效率。
  此外,该芯片采用恒定导通时间(COT)控制架构,使得环路响应更加迅速,并且无需补偿网络,进一步简化了设计流程。同时,其支持外部时钟同步的功能,有助于降低电磁干扰(EMI)。

应用

SI3493DV-T1-E3 的典型应用场景包括但不限于:分布式电源架构中的中间总线转换器(IBC)、通信基础设施中的电源模块、工业自动化设备的供电电路、消费类电子产品的适配器和充电器等。
  由于其出色的效率和灵活性,该芯片也广泛应用于电池供电设备中,例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等,为这些设备提供稳定而高效的电源管理方案。

替代型号

SI3494DV-T1-E3
  LM2596
  MP1584

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SI3493DV-T1-E3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)