时间：2025/7/31 18:04:55
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RAHV1471M1EFH0002X 是 Vishay Siliconix 生产的一款高电压、高功率 MOSFET 晶体管。该器件专为需要高效能和高可靠性应用而设计，常用于电源管理、电机控制、电池管理系统、工业自动化以及高电压 DC-DC 转换器等场景。该 MOSFET 具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能，适用于多种高电压和高功率应用。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
漏源电压(Vds)：1500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：4.7A @ 25°C
功耗(Pd)：180W
导通电阻(Rds(on))：1.25Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
RAHV1471M1EFH0002X 具备一系列出色的电气和热性能，适用于高电压和高功率应用。其高漏源电压能力（1500V）使其适用于高电压转换系统，如工业电源、高压DC-DC转换器和储能系统。该器件的低导通电阻（Rds(on)）为1.25Ω，在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该MOSFET的连续漏极电流能力为4.7A，支持中高功率负载操作。其最大功耗为180W，结合TO-247封装的优良散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
RAHV1471M1EFH0002X 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业和高可靠性应用。该MOSFET具备高耐用性和良好的热稳定性，确保在长时间运行和高负载情况下仍能保持稳定的性能。
该MOSFET主要应用于高压电源系统、工业自动化设备、高电压DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）。此外，它也适用于需要高电压和高可靠性的电信设备、测试仪器和医疗电子设备中的功率控制电路。
SiHP15NQ150SG-Si, IXFH40N150P, FGP15N150N
