W25Q128FVPJP TR是一款由Winbond公司制造的串行闪存芯片,容量为128Mbit(16MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口,适用于需要大容量存储和高效能读写的应用场景。该芯片封装为8引脚的SOIC(Small Outline Integrated Circuit),工作温度范围为工业级-40°C至+85°C,适用于工业控制、嵌入式系统、消费电子产品等。
容量:128Mbit
存储结构:16MB,按页编程(256字节/页)
接口类型:标准SPI
工作电压:2.7V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:8-SOIC
读取速度:最大104MHz
编程/擦除速度:快速页编程(典型时间0.6ms/页),芯片擦除时间约20ms
擦除块大小:4KB扇区、32KB块、64KB块和全片擦除
JEDEC标准:支持JEDEC JESD216B标准
安全特性:软件和硬件写保护、顶部/底部阵列配置、状态寄存器锁定
功耗:典型待机电流<10uA,工作电流<10mA
W25Q128FVPJP TR具备高速读取和写入能力,支持高达104MHz的SPI时钟频率,确保快速的数据访问。该芯片采用统一的存储架构,支持4KB扇区擦除,提供灵活的存储管理选项。芯片内置状态寄存器,可用于监控写保护、擦除和编程操作的状态。其低功耗设计使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。此外,该芯片支持硬件写保护(WP#引脚)和软件写保护功能,防止意外数据写入或擦除,提高系统稳定性。W25Q128FVPJP TR还支持多种擦除操作,包括4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除和全片擦除,适应不同应用场景的需求。其SPI接口兼容性强,广泛适用于各种主控芯片。
该芯片还具备高可靠性,支持10万次编程/擦除周期,并提供20年数据保持能力,适合长期运行的工业控制系统和嵌入式设备。同时,其支持的宽温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境下的稳定运行。
W25Q128FVPJP TR广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品、汽车电子、医疗设备、智能卡终端、安防系统等。该芯片适用于需要大容量非易失性存储器的场合,例如固件存储、数据记录、图像存储、系统配置存储等。在物联网(IoT)设备中,该芯片可用于存储传感器数据、系统代码和更新固件。在智能家电和可穿戴设备中,W25Q128FVPJP TR的低功耗特性有助于延长电池续航时间。此外,其高速SPI接口使其适用于需要快速启动和高效数据传输的应用场景。
W25Q128JV-IM, MX25L12835F, GD25Q128CS, S25FL128S